MMDT2907A-7-F

Name: Diodes Incorporated MMDT2907A-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.6 (13 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet

Lagernummer 2529

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：6.010099mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：200mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-600mA
Частота：200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMDT2907A
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：200MHz
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Прямоходящий ток коллектора：-600mA
Время включения максимальный (тон)：45ns
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2529

Итого $0.00000