(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BLP8G10S-45PGY
Изображение служит лишь для справки
BLP8G10S-45PGY
-
Ampleon USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- 4-BESOP (0.173, 4.40mm Width)
- RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
Date Sheet
Lagernummer 142
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Корпус / Кейс：4-BESOP (0.173, 4.40mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Номинальное напряжение：65V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2006
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота：952.5MHz~957.5MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：BLP8G10
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Ток - испытание：224mA
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：LDMOS (Dual), Common Source
- Увеличение：20.8dB
- Минимальная напряжённость разрушения：65V
- Выводная мощность：2.5W
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание：28V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 142
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
