PD55008-E

Name: STMicroelectronics PD55008-E
Brand: STMicroelectronics
Rating: 5 (12 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
Date Sheet

Lagernummer 10

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：25 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Количество контактов：3
Количество элементов：1
Уровень применения：Military grade
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
Максимальная потеря мощности：52.8W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Моментальный ток：4A
Частота：500MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：PD55008
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：52.8W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：150mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальная мощность выхода：8W
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Входной ёмкости：58pF
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：12.5V
Минимальная разрушающая напряжение：40V
Коэффициент усиления мощности：17dB
Высота：3.5mm
Длина：7.5mm
Ширина：9.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10

Итого $0.00000