BFP193E6327HTSA1

Name: Infineon Technologies BFP193E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
Price: 0.169773 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (18 reviews)

Lagernummer 551

1+： $0.16977
10+： $0.16016
100+： $0.15110
500+： $0.14254
1000+： $0.13448

Zwischensummenbetrag $0.16977

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-253-4, TO-253AA
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)：80mA
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：12V
Максимальная потеря мощности：580mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：80mA
Частота：8GHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BFP193
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：580mW
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Без галогенов：Not Halogen Free
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12V
Максимальный ток сбора：80mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 30mA 8V
Увеличение：12dB ~ 18dB
Частота перехода：8000MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：2V
Сопротивление базы-эмиттора макс：0.9pF
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Высота：1mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 551

1+： $0.16977
10+： $0.16016
100+： $0.15110
500+： $0.14254
1000+： $0.13448

Итого $0.16977