(0)
Изображение служит лишь для справки
BFP520H6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SC-82A, SOT-343
- RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 12000
- 1+： $0.11221
- 10+： $0.10586
- 100+： $0.09987
- 500+： $0.09422
- 1000+： $0.08888
Zwischensummenbetrag $0.11221
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-82A, SOT-343
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：3.5V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2005
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Частота：45GHz
- Основной номер части：BFP520
- Число контактов：4
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：100mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
- Максимальный ток сбора：40mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 20mA 2V
- Увеличение：22.5dB
- Частота перехода：45000MHz
- Максимальное напряжение разрушения：3.5V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：10V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1V
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：0.95dB @ 1.8GHz
- Высота：900μm
- Длина：2mm
- Ширина：1.25mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 12000
- 1+： $0.11221
- 10+： $0.10586
- 100+： $0.09987
- 500+： $0.09422
- 1000+： $0.08888
Итого $0.11221
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
