(0)
Изображение служит лишь для справки
FS50R12W2T4BOMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MOD 1200V 83A 335W
Date Sheet
Lagernummer 62
- 1+： $39.60104
- 10+： $37.35947
- 100+： $35.24479
- 500+： $33.24980
- 1000+： $31.36774
Zwischensummenbetrag $39.60104
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Количество контактов：18
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：6
- Рабочая температура：-40°C~125°C
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：15
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：335W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：33
- Код JESD-30：R-XUFM-X15
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Full Bridge Inverter
- Распад мощности：335W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：83A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：185 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 50A
- Время выключения (toff)：490 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：2.8nF @ 25V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 62
- 1+： $39.60104
- 10+： $37.35947
- 100+： $35.24479
- 500+： $33.24980
- 1000+： $31.36774
Итого $39.60104
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
