(0)
Изображение служит лишь для справки
FS150R12KT4BOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MOD 1200V 150A 750W
Date Sheet
Lagernummer 41
- 1+： $55.45090
- 10+： $52.31217
- 100+： $49.35111
- 500+： $46.55765
- 1000+： $43.92231
Zwischensummenbetrag $55.45090
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：150A
- Количество элементов：6
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：35
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：35
- Код JESD-30：R-XUFM-X35
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Three Phase Inverter
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：750W
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：750W
- Время включения：165 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 150A
- Время выключения (toff)：605 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на выходе：2.1 V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 41
- 1+： $55.45090
- 10+： $52.31217
- 100+： $49.35111
- 500+： $46.55765
- 1000+： $43.92231
Итого $55.45090
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
