(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G1K2C10S2
Изображение служит лишь для справки
G1K2C10S2
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- NP100V, 3A,RD<130M@10V,RD<200M@-
Date Sheet
Lagernummer 3244
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Tc), 3.5A (Tc)
- Mfr：Goford Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация：-
- Мощность - Макс：2W (Tc), 3.1W (Tc)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V, 23nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 3244
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
