(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRFHE4250DTRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFHE4250DTRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 32-PowerVFQFN
- HEXFET POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 10830
- 1+： $1.67508
- 10+： $1.58027
- 100+： $1.49082
- 500+： $1.40643
- 1000+： $1.32682
Zwischensummenbetrag $1.67508
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：32-PowerVFQFN
- Поставщик упаковки устройства：32-PQFN (6x6)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：86A (Tc), 303A (Tc)
- Mfr：International Rectifier
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Мощность - Макс：156W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 10830
- 1+： $1.67508
- 10+： $1.58027
- 100+： $1.49082
- 500+： $1.40643
- 1000+： $1.32682
Итого $1.67508
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
