FGH40N60SMDF

Name: ON Semiconductor FGH40N60SMDF
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
Date Sheet

Lagernummer 343

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 40A, 6 Ω, 15V
Время отключения：92 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：349W
Основной номер части：FGH40N60
Время подъёма макс：28ns
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：349W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：12 ns
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：80A
Время обратной рекомпенсации：90ns
Код JEDEC-95：TO-247AB
Время включения：37 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 40A
Время выключения (toff)：132 ns
Тип ИGBT：Field Stop
Зарядная мощность：119nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：12ns/92ns
Переключаемый энергопотребление：1.3mJ (on), 260μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Время падения максимальное (tf)：17ns
Высота：20.6mm
Длина：15.6mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 343

Итого $0.00000