FGH40N60SFDTU

Name: ON Semiconductor FGH40N60SFDTU
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (12 reviews)

Lagernummer 20000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 40A, 10 Ω, 15V
Время отключения：115 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：290W
Основной номер части：FGH40N60
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：25 ns
Мощность - Макс：290W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：80A
Время обратной рекомпенсации：45 ns
Код JEDEC-95：TO-247AB
Время включения：108 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.9V @ 15V, 40A
Время выключения (toff)：170 ns
Тип ИGBT：Field Stop
Зарядная мощность：120nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：25ns/115ns
Переключаемый энергопотребление：1.13mJ (on), 310μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5V
Время падения максимальное (tf)：90ns
Высота：20.82mm
Длина：15.87mm
Ширина：4.82mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20000

Итого $0.00000