(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G200P04S2
Изображение служит лишь для справки
G200P04S2
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Date Sheet
Lagernummer 1294
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：G200
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
- Mfr：Goford Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：G
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация：2 P-Channel (Dual)
- Мощность - Макс：2.1W (Tc)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2365pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：42nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1294
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
