Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G200P04S2
Изображение служит лишь для справки






G200P04S2
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Date Sheet
Lagernummer 1294
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SOP
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:G200
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9A (Tc)
- Mfr:Goford Semiconductor
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:G
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация:2 P-Channel (Dual)
- Мощность - Макс:2.1W (Tc)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:20mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2365pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:42nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 1294
Итого $0.00000