(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4534DY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4534DY-T1-GE3
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- N- AND P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSF
Date Sheet
Lagernummer 5222
- 1+： $1.41839
- 10+： $1.33810
- 100+： $1.26236
- 500+： $1.19090
- 1000+： $1.12349
Zwischensummenbetrag $1.41839
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：SI4534
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：TrenchFET®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация：N and P-Channel
- Мощность - Макс：2W (Ta), 3.6W (Tc)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：420pF @ 30V, 650pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 10V, 22nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 5222
- 1+： $1.41839
- 10+： $1.33810
- 100+： $1.26236
- 500+： $1.19090
- 1000+： $1.12349
Итого $1.41839
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
