Изображение служит лишь для справки






AGR18030EF
-
Advanced
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакетная партия производителя:10
- Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС:Details
- Максимальный ток утечки (ID):6.2 A
- Ранг риска:5.25
- Производитель IHS:BROADCOM LTD
- Код цикла жизни компонента:Active
- Количество элементов:1
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Артикул Производителя:AGR18030EF
- Температура работы-Макс:200 °C
- Максимальная температура рефлоу:30
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Пакетирование:Tray
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип продукта:RF MOSFET Transistors
- Минимальная напряжённость разрушения:65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:L BAND
- Категория продукта:RF MOSFET Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000