(0)
Изображение служит лишь для справки
AGR18030EF
-
Advanced
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакетная партия производителя：10
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС：Details
- Максимальный ток утечки (ID)：6.2 A
- Ранг риска：5.25
- Производитель IHS：BROADCOM LTD
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：AGR18030EF
- Температура работы-Макс：200 °C
- Максимальная температура рефлоу：30
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Пакетирование：Tray
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип продукта：RF MOSFET Transistors
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
- Категория продукта：RF MOSFET Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
