Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакетная партия производителя:10
  • Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
  • Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
  • РХОС:Details
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Артикул Производителя:AGR09085EF
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:BROADCOM LTD
  • Ранг риска:5.25
  • Максимальный ток утечки (ID):8.5 A
  • Пакетирование:Tray
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:FLAT
  • Температура пайки (пиковая) (°C):225
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:R-CDFM-F2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:SOURCE
  • Применение транзистора:AMPLIFIER
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Тип продукта:RF MOSFET Transistors
  • Максимальный сливовой ток (ID):8.5 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:65 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
  • Категория продукта:RF MOSFET Transistors

Со склада 0

Итого $0.00000