Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SOT-262A
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:125 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:5 V
  • Распад мощности:500 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Усв:40 V
  • Вес единицы:0.001058 oz
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
  • Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
  • РХОС:Details
  • Id - Непрерывный ток разряда:40 A
  • Пакетирование:Tray
  • Тип:RF Power MOSFET
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Частота работы:175 MHz
  • Конфигурация:Dual
  • Тип продукта:RF MOSFET Transistors
  • Категория продукта:RF MOSFET Transistors

Со склада 0

Итого $0.00000