Изображение служит лишь для справки






BLF177
-
Advanced
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- RF MOSFET Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вес единицы:0.436099 oz
- Пакетная партия производителя:1
- Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:110 V
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Монтажные варианты:Flange Mount
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:300 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:16 A
- Пакетирование:Tray
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Частота работы:-
- Выводная мощность:-
- Тип продукта:RF MOSFET Transistors
- Увеличение:-
- Категория продукта:RF MOSFET Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000