(0)
Изображение служит лишь для справки
MS2341
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- Trans GP BJT NPN 2.6A 4-Pin Case M-115
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Chassis Mount, Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：65 V
- Количество элементов：1
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：M115, 4 PIN
- Форма упаковки：DISK BUTTON
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MS2341
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Microsemi Corporation
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.63
- Пакетирование：Bulk
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：87.5 W
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：O-CRDB-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：87.5 W
- Сокетная связка：BASE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток сбора：2.6 A
- Увеличение：9 dB
- Частота перехода：1.15 GHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：65 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：87.5 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3.5 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：2.6 A
- Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
