(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF581
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- RF Bipolar Transistors NPN SILICON RF TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：2.5 V
- Распад мощности：2.5 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальный постоянный ток сбора：200 mA
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：18 V
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Частота работы：1 GHz
- Конфигурация：Single
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar
- Прямоходящий ток коллектора：200 mA
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
