(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF5812LF
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SOIC-8
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOIC-8
- Количество контактов：7
- РХОС：Compliant
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：2.5 V
- Распад мощности：1.25 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50
- Вес единицы：0.019048 oz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：15 V
- Пакетирование：Bulk
- Серия：MRF5812LF
- Завершение：IDT
- Тип соединителя：Connector, IDC
- Тип：RF Bipolar Small Signal
- Пол：Male
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Частота работы：1 GHz
- Тип провода/кабеля：Flat Flex
- Длина кабеля：203 mm
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar
- Прямоходящий ток коллектора：200 mA
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
