(0)
Изображение служит лишь для справки
BLV31
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SOT-122A
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-122A
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
- Распад мощности：7 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：15
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальный постоянный ток сбора：6 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：30 V
- Ранг риска：4.22
- Производитель IHS：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Форма упаковки：ROUND
- Артикул Производителя：BLV31
- Температура работы-Макс：200 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
- Описание пакета：POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
- Пакетирование：Tray
- Код ECCN：EAR99
- Тип：RF Bipolar Power
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-CRPM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Частота работы：224 MHz
- Конфигурация：Single
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar Power
- Максимальная потеря мощности (абс.)：48 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
- Прямоходящий ток коллектора：3 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：30 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
