(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF8372LF
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SOIC-8
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 550
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOIC-8
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：3 V
- Распад мощности：2.2 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：30
- Вес единицы：0.019048 oz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：16 V
- Пакетирование：Tray
- Тип：RF Bipolar Power
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Частота работы：800 MHz
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar Power
- Прямоходящий ток коллектора：200 mA
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 550
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
