(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF581G
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Case M-238
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：18 V
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4
- Форма упаковки：DISK BUTTON
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：5000 MHz
- Артикул Производителя：MRF581G
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Microsemi Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.36
- Пакетирование：Bulk
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：1.25 W
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：O-PRDB-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток сбора：200 mA
- Увеличение：15.5 dB
- Частота перехода：5 GHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：18 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：3 pF
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
