MDS1100

Name: Microchip MDS1100
Brand: Microchip
Rating: 4.5 (14 reviews)

Microchip
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
-
Trans GP BJT NPN 65V 100A 3-Pin Case 55TU-1
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Монтаж：Screw, Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Retail Package
Mfr：Glenair
Состояние продукта：Active
Полярность транзистора：NPN
Диэлектрический пробой напряжение：65 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：MDS1100
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.61
Серия：*
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Подкатегория：Other Transistors
Максимальная потеря мощности：8.75 kW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-CDFM-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：8.75
Сокетная связка：BASE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：65 V
Максимальный ток сбора：100 A
Увеличение：8.9 dB
Частота перехода：1.03 GHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：8750 W
Максимальный ток коллектора (IC)：100 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Прямоходящий ток коллектора：100
Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
Корпусировка на излучение：No

Со склада 0

Итого $0.00000