Изображение служит лишь для справки






MRF1000MB
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- 332A-03
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 5
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:332A-03
- РХОС:Non-Compliant
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:3.5 V
- Распад мощности:7 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:15
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:20 V
- Пакетирование:Tray
- Тип:RF Bipolar Power
- Пол:Female
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Частота работы:1090 MHz
- Стиль контакта:Pin
- Тип продукта:RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора:Bipolar Power
- Прямоходящий ток коллектора:200 mA
- Категория продукта:RF Bipolar Transistors
Со склада 5
Итого $0.00000