(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF225
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 10000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRF225
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：3.3 A
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：NOT SPECIFIED
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-204AA
- Сопротивление открытого канала-макс：1.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：13 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 10000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
