(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFW820BTM
Изображение служит лишь для справки
IRFW820BTM
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CH/500V/2.5A/3OHM/SUBSTITUTE OF IRFW820ATM & IRFW820ATM
Date Sheet
Lagernummer 1435
- 1+： $0.28312
- 10+： $0.26710
- 100+： $0.25198
- 500+： $0.23772
- 1000+： $0.22426
Zwischensummenbetrag $0.28312
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：D2PAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Артикул Производителя：IRFW820BTM
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.39
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID)：2.5 A
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс：2.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 1435
- 1+： $0.28312
- 10+： $0.26710
- 100+： $0.25198
- 500+： $0.23772
- 1000+： $0.22426
Итого $0.28312
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
