Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 57

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:-
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Полярность транзистора:NPN
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
  • Основной номер продукта:2N3439
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:2N3439UA
  • Время включения макс. (ton):1000 ns
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Microsemi Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Время отключения макс. (toff):10000 ns
  • Ранг риска:5.05
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Рабочая температура:-20°C ~ 70°C
  • Серия:SiT8208
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Размер / Размерность:0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)
  • Код JESD-609:e4
  • Безоловая кодировка:No
  • Состояние изделия:Active
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:XO (Standard)
  • Конечная обработка контакта:GOLD OVER NICKEL
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Технология:Si
  • Напряжение - Питание:3.3V
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Частота:24MHz
  • Частотная стабильность:±10ppm
  • Выход:LVCMOS, LVTTL
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-XDSO-N3
  • Функция:Enable/Disable
  • Базовый резонатор:MEMS
  • Ток - Питание (Макс.):33mA
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Ток - Подача (Отключить) (Макс.):31mA
  • Конфигурация:SINGLE
  • Распад мощности:5
  • Мощность - Макс:800 mW
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 20mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):2µA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 4mA, 50mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):350 V
  • Частота - Переход:-
  • Абсолютный диапазон подтяжки (АДП):--
  • Максимальный ток коллектора (IC):1 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):40
  • Прямоходящий ток коллектора:1
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:350 V
  • Высота сидения (макс.):0.032 (0.80mm)
  • Оценки:--

Со склада 57

Итого $0.00000