Изображение служит лишь для справки






2N3439UA
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA
Date Sheet
Lagernummer 57
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:-
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Полярность транзистора:NPN
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Основной номер продукта:2N3439
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу:30
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2N3439UA
- Время включения макс. (ton):1000 ns
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Время отключения макс. (toff):10000 ns
- Ранг риска:5.05
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Рабочая температура:-20°C ~ 70°C
- Серия:SiT8208
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность:0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:No
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Тип:XO (Standard)
- Конечная обработка контакта:GOLD OVER NICKEL
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Технология:Si
- Напряжение - Питание:3.3V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Частота:24MHz
- Частотная стабильность:±10ppm
- Выход:LVCMOS, LVTTL
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-XDSO-N3
- Функция:Enable/Disable
- Базовый резонатор:MEMS
- Ток - Питание (Макс.):33mA
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.):31mA
- Конфигурация:SINGLE
- Распад мощности:5
- Мощность - Макс:800 mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 20mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):2µA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 4mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):350 V
- Частота - Переход:-
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП):--
- Максимальный ток коллектора (IC):1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):40
- Прямоходящий ток коллектора:1
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:350 V
- Высота сидения (макс.):0.032 (0.80mm)
- Оценки:--
Со склада 57
Итого $0.00000