Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 107

  • 1+: $5.29400
  • 10+: $4.99434
  • 100+: $4.71164
  • 500+: $4.44494
  • 1000+: $4.19334

Zwischensummenbetrag $5.29400

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
  • Вид крепления:Through Hole
  • Монтаж:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-39-3
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:3
  • Поставщик упаковки устройства:TO-39
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал сопротивления:Cermet
  • Диэлектрический пробой напряжение:80 V
  • Минимальная частота работы в герцах:100
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Пакетная партия производителя:1
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:80 V
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
  • Основной номер продукта:2N4033
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Состояние без свинца / Состояние по RoHS:--
  • Полярность транзистора:PNP
  • Расписание В:8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
  • Количество элементов:1
  • РХОС:Compliant
  • Распад мощности:800 mW
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Производитель:Microchip
  • Максимальный постоянный ток сбора:1 A
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:JANTX2N4033
  • Время включения макс. (ton):40 ns
  • Форма упаковки:ROUND
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Время отключения макс. (toff):210 ns
  • Ранг риска:1.03
  • Код упаковки компонента:BCY
  • Серия:RJ-4
  • Пакетирование:Bulk
  • Рабочая температура:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • Размер / Размерность:Round - 0.193 Dia x 0.177 H (4.90mm x 4.50mm)
  • Допуск:±10%
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):--
  • Код ECCN:EAR99
  • Коэффициент температурной зависимости:±100ppm/°C
  • Сопротивление:5 kOhms
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Максимальная рабочая температура:200 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Мощность (ватт):0.5W, 1/2W
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Подкатегория:Transistors
  • Максимальная потеря мощности:800 mW
  • Технология:Si
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Число контактов:2
  • Нормативная Марка:MIL-19500/512
  • Стиль заканчивания:PC Pins
  • Код JESD-30:O-MBCY-W3
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Направленность:PNP
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:800
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Мощность - Макс:800 mW
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Адаптивный тип:Top Adjustment
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:PNP
  • Количество витков:1
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80 V
  • Максимальный ток сбора:1 A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
  • Код JEDEC-95:TO-205AD
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 100mA, 1A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
  • Максимальный ток коллектора (IC):1 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):25
  • Максимальная температура перехода (Тj):200 °C
  • Прямоходящий ток коллектора:1
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:80 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
  • Высота:6.6 mm
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 107

  • 1+: $5.29400
  • 10+: $4.99434
  • 100+: $4.71164
  • 500+: $4.44494
  • 1000+: $4.19334

Итого $5.29400