(0)
Изображение служит лишь для справки
STGW75H65DFB2-4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-4
- Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 115A 4-Pin TO-247 Tube
Date Sheet
Lagernummer 86
- 1+： $6.31584
- 10+： $5.95834
- 100+： $5.62108
- 500+： $5.30290
- 1000+： $5.00274
Zwischensummenbetrag $6.31584
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Free Hanging (In-Line), Right Angle
- Корпус / Кейс：TO-247-4
- Монтажная особенность：-
- Материал корпуса：Aluminum Alloy
- Поставщик упаковки устройства：TO-247-4
- Напряжение, классификация：600VAC, 850VDC
- Пакет：Bulk
- Основной материал：Metal
- Основной номер продукта：KPT08
- Mfr：ITT Cannon, LLC
- Состояние продукта：Active
- Контактная поверхность совместимая：Gold
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：±20V
- Формат упаковки：TO-247
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- Распад мощности：357 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Вес единицы：0.156264 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：600
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：STMicroelectronics
- Бренд：STMicroelectronics
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：115 A
- Условия испытания：400V, 75A, 10Ohm, 15V
- Рабочая температура：-55°C ~ 125°C
- Серия：KPT
- Пакетирование：Tube
- Завершение：Solder Cup
- Тип соединителя：Plug, Female Sockets
- Количество должностей：61
- Цвет：Olive Drab
- Способ крепления：Bayonet Lock
- Подкатегория：IGBTs
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：7.5A
- Технология：Si
- Ориентация：N (Normal)
- Экранирование：-
- Защита от проникновения：Environment Resistant
- Облицовка：Olive Drab Cadmium
- Число контактов：4
- Размер корпуса - вставка：24-61
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：357
- Размер корпуса, MIL：-
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：357 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 75A
- Прямоходящий ток коллектора：115
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：207 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：225 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：22ns/121ns
- Переключаемый энергопотребление：992µJ (on), 766µJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：88 ns
- Характеристики：-
- Категория продукта：IGBT Transistors
- Толщина покрытия контакта - совместимая：50.0µin (1.27µm)
Со склада 86
- 1+： $6.31584
- 10+： $5.95834
- 100+： $5.62108
- 500+： $5.30290
- 1000+： $5.00274
Итого $6.31584
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
