APT43GA90BD30

Name: Microchip APT43GA90BD30
Brand: Microchip
Rating: 4.6 (10 reviews)

Microchip
Транзисторы - IGBT - Одинарные
1210 (3225 Metric)
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Date Sheet

Lagernummer 115

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：1210 (3225 Metric)
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：1210
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Основной номер продукта：RN73H2E
Mfr：KOA Speer Electronics, Inc.
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：78 A
Условия испытания：600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
Распад мощности：337 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Вес единицы：1.340411 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Through Hole
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：78 A
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：900 V
Рабочая температура：-55°C ~ 155°C
Серия：RN73H
Пакетирование：Tube
Размер / Размерность：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Допуск：±0.5%
Количество выводов：2
Коэффициент температурной зависимости：±100ppm/°C
Сопротивление：759 kOhms
Состав：Metal Film
Мощность (ватт)：0.25W, 1/4W
Подкатегория：IGBTs
Технология：Si
Срок службы：-
Конфигурация：Single
Распад мощности：337
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：337 W
Тип продукта：IGBT Transistors
Диапазон рабочей температуры：- 55 C to + 150 C
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：900 V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.1V @ 15V, 47A
Прямоходящий ток коллектора：78
Тип ИGBT：PT
Зарядная мощность：116 nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：129 A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：12ns/82ns
Переключаемый энергопотребление：875µJ (on), 425µJ (off)
Характеристики：Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Категория продукта：IGBT Transistors
Высота сидения (макс.)：0.028 (0.70mm)
Ширина：16.26 mm
Высота：5.31 mm
Длина：21.46 mm
Оценки：AEC-Q200

Со склада 115

Итого $0.00000