Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APT65GP60L2DQ2G

Lagernummer 25

  • 1+: $16.88656
  • 10+: $15.93071
  • 100+: $15.02897
  • 500+: $14.17828
  • 1000+: $13.37573

Zwischensummenbetrag $16.88656

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-264-3, TO-264AA
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:KEMET
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):198 A
  • Основной номер продукта:APT65GP60
  • Условия испытания:400V, 65A, 5Ohm, 15V
  • Вес единицы:1.340411 oz
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology / Atmel
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 30 V, + 30 V
  • Серия:*
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакетирование:Tube
  • Подкатегория:IGBTs
  • Технология:Si
  • Распад мощности:833
  • Входной тип:Standard
  • Мощность - Макс:833 W
  • Тип продукта:IGBT Transistors
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 65A
  • Прямоходящий ток коллектора:198
  • Тип ИGBT:PT
  • Зарядная мощность:210 nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):250 A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:30ns/90ns
  • Переключаемый энергопотребление:605µJ (on), 895µJ (off)
  • Категория продукта:IGBT Transistors

Со склада 25

  • 1+: $16.88656
  • 10+: $15.93071
  • 100+: $15.02897
  • 500+: $14.17828
  • 1000+: $13.37573

Итого $16.88656