(0)
Изображение служит лишь для справки
STGWA50H65DFB2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247 Tube
Date Sheet
Lagernummer 12000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Panel Mount
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 Long Leads
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：86 A
- Основной номер продукта：STGWA50
- Mfr：STMicroelectronics
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：272 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：600
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：STMicroelectronics
- Бренд：STMicroelectronics
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Серия：UPG
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Моментальный ток：--
- Тип привода：Lever
- Конфигурация：Single
- Напряжение подсветки (номинальное)：--
- Распад мощности：272
- Количество полюсов：2
- Освещение：--
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：272 W
- Тип разъединителя：Magnetic (Hydraulic Delay)
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：86
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：151 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：28ns/115ns
- Переключаемый энергопотребление：910µJ (on), 580µJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：92 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 12000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
