(0)
Изображение служит лишь для справки
STGP20H65DFB2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 20A 3-Pin TO-220 Tube
Date Sheet
Lagernummer 147
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Условия испытания：400V, 20A, 10Ohm, 15V
- Состояние продукта：Active
- Mfr：STMicroelectronics
- Основной номер продукта：STGP20
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：40 A
- Пакет：Bulk
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：±20V
- Формат упаковки：TO-220
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- РХОС：Details
- Бренд：STMicroelectronics
- Производитель：STMicroelectronics
- Пакетная партия производителя：1000
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：IGBTs
- Число контактов：3
- Распад мощности：147
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：147 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 20A
- Прямоходящий ток коллектора：40
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：56 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：16ns/78.8ns
- Переключаемый энергопотребление：265µJ (on), 214µJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：215 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 147
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
