Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

AFGHL50T65SQD

Lagernummer 1648

  • 1+: $4.21344
  • 10+: $3.97495
  • 100+: $3.74995
  • 500+: $3.53769
  • 1000+: $3.33744

Zwischensummenbetrag $4.21344

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-247-3
  • Вид крепления:Through Hole
  • Поставщик упаковки устройства:TO-247-3
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:±30.0V
  • Формат упаковки:TO-247
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:650 V
  • Распад мощности:268 W
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:30
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Производитель:onsemi
  • Бренд:onsemi
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:650 V
  • Пакет:Tube
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):80 A
  • Основной номер продукта:AFGHL50
  • Mfr:onsemi
  • Состояние продукта:Active
  • Условия испытания:400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Серия:Automotive, AEC-Q101
  • Подкатегория:IGBTs
  • Технология:Si
  • Число контактов:3
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:268W
  • Входной тип:Standard
  • Мощность - Макс:268 W
  • Тип продукта:IGBT Transistors
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):650 V
  • Канальный тип:N
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
  • Прямоходящий ток коллектора:80A
  • Тип ИGBT:Trench Field Stop
  • Зарядная мощность:102 nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):200 A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:20ns/81ns
  • Переключаемый энергопотребление:950µJ (on), 460µJ (off)
  • Категория продукта:IGBT Transistors

Со склада 1648

  • 1+: $4.21344
  • 10+: $3.97495
  • 100+: $3.74995
  • 500+: $3.53769
  • 1000+: $3.33744

Итого $4.21344