(0)
Изображение служит лишь для справки
AFGHL50T65SQD
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247
Date Sheet
Lagernummer 1648
- 1+： $4.21344
- 10+： $3.97495
- 100+： $3.74995
- 500+： $3.53769
- 1000+： $3.33744
Zwischensummenbetrag $4.21344
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247-3
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：±30.0V
- Формат упаковки：TO-247
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- Распад мощности：268 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：30
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：80 A
- Основной номер продукта：AFGHL50
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：268W
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：268 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Канальный тип：N
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：80A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：102 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：200 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：20ns/81ns
- Переключаемый энергопотребление：950µJ (on), 460µJ (off)
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 1648
- 1+： $4.21344
- 10+： $3.97495
- 100+： $3.74995
- 500+： $3.53769
- 1000+： $3.33744
Итого $4.21344
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
