Изображение служит лишь для справки






AFGHL50T65SQD
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247
Date Sheet
Lagernummer 1648
- 1+: $4.21344
- 10+: $3.97495
- 100+: $3.74995
- 500+: $3.53769
- 1000+: $3.33744
Zwischensummenbetrag $4.21344
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-247-3
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:±30.0V
- Формат упаковки:TO-247
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:650 V
- Распад мощности:268 W
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:30
- Монтажные варианты:Through Hole
- Производитель:onsemi
- Бренд:onsemi
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:650 V
- Пакет:Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic):80 A
- Основной номер продукта:AFGHL50
- Mfr:onsemi
- Состояние продукта:Active
- Условия испытания:400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Подкатегория:IGBTs
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:268W
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:268 W
- Тип продукта:IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):650 V
- Канальный тип:N
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора:80A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Зарядная мощность:102 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):200 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:20ns/81ns
- Переключаемый энергопотребление:950µJ (on), 460µJ (off)
- Категория продукта:IGBT Transistors
Со склада 1648
- 1+: $4.21344
- 10+: $3.97495
- 100+: $3.74995
- 500+: $3.53769
- 1000+: $3.33744
Итого $4.21344