Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

JAN2N4449

Lagernummer 32

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Поставщик упаковки устройства:TO-46 (TO-206AB)
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:JAN2N4449
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Код упаковки компонента:BCY
  • Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
  • Ранг риска:1.69
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Время включения макс. (ton):12 ns
  • Время отключения макс. (toff):18 ns
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Пакетная партия производителя:1
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • РХОС:N
  • Пакет:Bulk
  • Основной номер продукта:2N4449
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:Bulk
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/317
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Нормативная Марка:MIL-19500
  • Код JESD-30:O-MBCY-W3
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Мощность - Макс:360 mW
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 100mA, 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):400nA
  • Код JEDEC-95:TO-206AB
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:450mV @ 10mA, 100mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):20 V
  • Частота - Переход:-
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.2 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):20
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:15 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 32

Итого $0.00000