(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TP65H300G4LSG-TR
Изображение служит лишь для справки
TP65H300G4LSG-TR
-
Transphorm
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PQFN-8x8-3
- MOSFET 650V, 240mOhm
Date Sheet
Lagernummer 5725
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PQFN-8x8-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：3-PQFN (8x8)
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Id - Непрерывный ток разряда：6.5 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：492 mOhms
- Усв：- 18 V, + 18 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.1 V
- Зарядная характеристика ворот：9.6 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：21 W
- Режим канала：Enhancement
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：500
- Пакет：Cut Tape (CT);Digi-Reel®;Tube;
- Основной номер продукта：TP65H300
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：8V
- Mfr：Transphorm
- Максимальная мощность рассеяния：21W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：Gen IV
- Пакетирование：Cut Tape
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：312mOhm @ 5A, 8V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 500µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：760 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.6 nC @ 8 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±18V
- Тип транзистора：HEMT
- Характеристика ТРП：-
Со склада 5725
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
