(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD9N60M6
Изображение служит лишь для справки
STD9N60M6
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
Date Sheet
Lagernummer 154
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：D-PAK (TO-252)
- РХОС：Details
- Торговое наименование：MDmesh
- Пакетная партия производителя：2500
- Прямоходящий ток вывода Id：6
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：STD9
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：STMicroelectronics
- Максимальная мощность рассеяния：76W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Число элементов на чипе：2
- Формат упаковки：DPAK (TO-252)
- Режим канала：Enhancement
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Число контактов：3
- Распад мощности：76
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：750mOhm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.75V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：273 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 154
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
