Изображение служит лишь для справки






CM600DX-34T
-
Mitsubishi Materials U.S.A
-
Транзисторы - Модули IGBT
- -
- IGBT Modules
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:11
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1700 V
- Распад мощности:2830 W
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
- Монтажные варианты:Screw
- Пакетная партия производителя:10
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:CM600DX-34T
- Время включения макс. (ton):1000 ns
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Время отключения макс. (toff):1400 ns
- Время подъема макс:200 ns
- Ранг риска:5.57
- Код JESD-609:e3
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PUFM-X11
- Конфигурация:Dual
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.):2830 W
- Максимальный ток коллектора (IC):600 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1700 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20 V
- Максимальное напряжение на выходе:2.5 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:6.6 V
- Продукт:IGBT Silicon Modules
- Время падения максимальное (tf):600 ns
Со склада 31
Итого $0.00000