Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 31

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:11
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1700 V
  • Распад мощности:2830 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Screw
  • Пакетная партия производителя:10
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:CM600DX-34T
  • Время включения макс. (ton):1000 ns
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:2
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
  • Время отключения макс. (toff):1400 ns
  • Время подъема макс:200 ns
  • Ранг риска:5.57
  • Код JESD-609:e3
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
  • Положение терминала:UPPER
  • Форма вывода:UNSPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PUFM-X11
  • Конфигурация:Dual
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Применение транзистора:MOTOR CONTROL
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальная потеря мощности (абс.):2830 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):600 A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1700 V
  • Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20 V
  • Максимальное напряжение на выходе:2.5 V
  • Максимальное напряжение на переходе ГЭ:6.6 V
  • Продукт:IGBT Silicon Modules
  • Время падения максимальное (tf):600 ns

Со склада 31

Итого $0.00000