Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 406

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1200 V
  • Распад мощности:4835 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Screw
  • Пакетная партия производителя:10
  • Артикул Производителя:QUOTE#CCS7810153812-THRU 6/19/21
  • Описание пакета:,
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
  • Ранг риска:5.53
  • Тип:Dual
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Конфигурация:Dual
  • Продукт:IGBT Silicon Modules
  • Высота (мм):30 mm

Со склада 406

Итого $0.00000