(0)
Изображение служит лишь для справки
2N3134 PBFREE
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF
Date Sheet
Lagernummer 265
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：35 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
- Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
- Распад мощности：600 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：200 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Пакетная партия производителя：200
- Вес единицы：0.043911 oz
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
Со склада 265
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
