(0)
Изображение служит лишь для справки
2N3502 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：N
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：45 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
- Распад мощности：700 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：200 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Пакетная партия производителя：500
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
