(0)
Изображение служит лишь для справки
2N6551 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-39-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0W
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-39-3
- РХОС：N
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Максимальный постоянный ток сбора：-
- Распад мощности：1 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：70 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40 at 2 A, 2 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：150 at 2 A, 2 V
- Пакетная партия производителя：500
- Серия：2N6551
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120 V
- Прямоходящий ток коллектора：5 A
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
