(0)
Изображение служит лишь для справки
2N5818 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vces 40Vceo 5.0Vebo 625mW
Date Sheet
Lagernummer 13
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-92-3
- РХОС：N
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Максимальный постоянный ток сбора：1 A
- Распад мощности：625 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：135 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：150 at 2 mA, 2 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：300 at 2 mA, 2 V
- Пакетная партия производителя：2000
- Серия：2N5818
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Прямоходящий ток коллектора：750 mA
Со склада 13
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
