(0)
Изображение служит лишь для справки
2N6491 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT 90Vcbo 80Vceo 5.0Vceo 15A 75W
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- РХОС：N
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Максимальный постоянный ток сбора：-
- Распад мощности：1.8 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：5 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：20
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：150
- Пакетная партия производителя：50
- Серия：2N6491
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：90 V
- Прямоходящий ток коллектора：15 A
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
