(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT5017SVRG
Изображение служит лишь для справки
APT5017SVRG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, MOSFET, 500V, 0.17_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 21
- 1+： $10.29526
- 10+： $9.71251
- 100+： $9.16275
- 500+： $8.64410
- 1000+： $8.15481
Zwischensummenbetrag $10.29526
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：D3PAK-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：D3 [S]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Id - Непрерывный ток разряда：30 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：170 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Зарядная характеристика ворот：200 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：370 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：30
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT5017
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS V®
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：370
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：170mOhm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5280 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：300 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 21
- 1+： $10.29526
- 10+： $9.71251
- 100+： $9.16275
- 500+： $8.64410
- 1000+： $8.15481
Итого $10.29526
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
