(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT38F80L
Изображение служит лишь для справки
APT38F80L
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-264-3
- MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-264View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 55
- 1+： $13.39522
- 10+： $12.63700
- 100+： $11.92170
- 500+： $11.24688
- 1000+： $10.61027
Zwischensummenbetrag $13.39522
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-264 [L]
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Id - Непрерывный ток разряда：41 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：240 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Зарядная характеристика ворот：260 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：1.04 kW
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：38 S
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：200 ns
- Время типичного задержки включения：46 ns
- Вес единицы：0.352740 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT38F80
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：41A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：1040W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APT38F80L
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：1.73
- Код упаковки компонента：TO-264AA
- Максимальный ток утечки (ID)：22 A
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：240mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8070 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：260 nC @ 10 V
- Время подъема：65 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-264AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：41 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.28 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：150 A
- Минимальная напряжённость разрушения：800 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：1710 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1040 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 55
- 1+： $13.39522
- 10+： $12.63700
- 100+： $11.92170
- 500+： $11.24688
- 1000+： $10.61027
Итого $13.39522
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
