(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGT50DH170TG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP4
- IGBT Modules DOR CC4122View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 2265
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：SP4
- Вид крепления：Chassis Mount
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Количество контактов：20
- Поставщик упаковки устройства：SP4
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.7 kV
- Распад мощности：312 W
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：3.880136 oz
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：75 A
- Основной номер продукта：APTGT50
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Диэлектрический пробой напряжение：1.7 kV
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная потеря мощности：312 W
- Конфигурация：Dual
- Конфигурация элемента：Dual
- Мощность - Макс：312 W
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.7 kV
- Максимальный ток сбора：75 A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1700 V
- Входной ёмкости：4.4 nF
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：75
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：4.4 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 2265
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
