Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APTGTQ100A65T1G

Lagernummer 26

  • 1+: $61.90678
  • 10+: $58.40263
  • 100+: $55.09682
  • 500+: $51.97813
  • 1000+: $49.03597

Zwischensummenbetrag $61.90678

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SP1
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Поставщик упаковки устройства:SP1
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:650 V
  • Распад мощности:250 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 125 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Chassis Mount
  • Пакетная партия производителя:1
  • Вес единицы:2.821917 oz
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):100 A
  • Основной номер продукта:APTGTQ100
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:Tube
  • Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Серия:-
  • Конфигурация:Dual
  • Мощность - Макс:250 W
  • Ввод:Standard
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100 µA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):650 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 100A
  • Тип ИGBT:-
  • Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
  • Входная ёмкость (Cies) @ Vce:6 nF @ 25 V
  • Продукт:IGBT Silicon Modules

Со склада 26

  • 1+: $61.90678
  • 10+: $58.40263
  • 100+: $55.09682
  • 500+: $51.97813
  • 1000+: $49.03597

Итого $61.90678