(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT6029BLLG
Изображение служит лишь для справки
APT6029BLLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 119
- 1+： $9.46417
- 10+： $8.92846
- 100+： $8.42308
- 500+： $7.94630
- 1000+： $7.49651
Zwischensummenbetrag $9.46417
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Id - Непрерывный ток разряда：21 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：290 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Зарядная характеристика ворот：65 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：300 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.211644 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：21
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT6029
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：300
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：290mOhm @ 10.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2615 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 119
- 1+： $9.46417
- 10+： $8.92846
- 100+： $8.42308
- 500+： $7.94630
- 1000+： $7.49651
Итого $9.46417
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
